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　　答：报告期内，公司依托半导体装备国产替代的行业发展趋势和机遇，积极推进半导体装备的市场推广。在集成电路装备领域，积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证；成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备，填补国内高端紫外激光开槽技术领域的空白，实现国产替代。发布方形硅片全流程解决方案，为客户提供效率更高、综合成本更优的一站式设备解决方案。公司自主研发的12英寸常压硅外延设备实现小批量销售，其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。12英寸减压外延生长设备顺利实现销售出货，并取得重要客户复购，在先进制程、特色硅光工艺上均取得突破。设备采用单温区、多温区闭环控温模式，结合多真空区间精准控压技术，确保外延生长过程的高度稳定性，其独特的扁平腔体结构和多口分流系统设计，能够显著提升外延层的膜厚均匀性和掺杂均匀性，满足先进制程的高标准要求。在化合物半导体装备领域，公司紧抓碳化硅产业链向8英寸切换的行业发展趋势，充分发挥在碳化硅产业链装备的核心技术优势，加强8-12英寸碳化硅外延设备以及减薄设备的市场推广，顺利取得客户订单；积极推进碳化硅氧化炉、激活炉以及离子注入等设备的客户验证，相关设备的验证进展顺利，为规模化量产奠定坚实基础。在新能源光伏装备领域，公司持续加强研发技术创新，在产品技术和工艺、自动化和智能化以及先进制造模式等领域持续进行创新，聚焦TOPCon提效与BC技术创新，持续完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系，积极推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD以及ALD等设备的市场推广和客户验证，EPD设备持续强化行业领先的技术和规模优势，在推动产业创新的同时，助力公司高质量发展。

　　答：报告期内，公司以碳化硅衬底为核心，实现从技术突破到规模化供应的关键跨越。公司基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功建设12英寸碳化硅衬底加工中试线，并基于下游应用，向产业链客户进行送样验证。同时，积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取海内外客户的批量订单。光学级碳化硅材料布局成效显著，8英寸产品工艺稳定并实现规模量产，12英寸光学级碳化硅衬底研发取得突破并小批量生产。